ON Semiconductor FQAF19N60 MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FQAF19N60

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF

Hissə nömrəsi

FQAF19N60

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

QFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

SC-94

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3PF

Gücün Dağılması (Maks.)

120W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

90nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3600pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 14641 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF