ON Semiconductor FQB1N60TM MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FQB1N60TM

MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

Hissə nömrəsi

FQB1N60TM

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

QFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

D²PAK (TO-263AB)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.13W (Ta), 40W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

11.5 Ohm @ 600mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

150pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7245 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQB10N20CTM

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK