ON Semiconductor FQB34P10TM-F085P PMOS D2PAK 100V 60 MOHM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FQB34P10TM-F085P

PMOS D2PAK 100V 60 MOHM

Hissə nömrəsi

FQB34P10TM-F085P

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

D²PAK (TO-263)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.75W (Ta), 155W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

33.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 16.75A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

110nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2910pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 37050 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQB30N06LTM

MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK