ON Semiconductor FQD2N90TM MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FQD2N90TM

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Hissə nömrəsi

FQD2N90TM

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

QFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-Pak

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

900V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.2 Ohm @ 850mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

500pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45185 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQD20N06LETM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK