ON Semiconductor H11A817W OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

H11A817W

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hissə nömrəsi

H11A817W

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 100°C

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Çıxış növü

Transistor

Kanalların sayı

Təchizatçı Cihaz Paketi

4-DIP

Cari - Çıxış / Kanal

50mA

Gərginlik - İzolyasiya

5300Vrms

Yüksəlmə / Payız vaxtı (tip)

2.4µs, 2.4µs

Gərginlik - Çıxış (Maks)

70V

Gərginlik - İrəli (Vf) (Tip)

1.2V

Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks)

50mA

Cari Transfer Oranı (Min)

50% @ 5mA

Cari Transfer Oranı (Maks)

600% @ 5mA

Yandırma / Söndürmə Vaxtı (Növ)

Vce Doyma (Maks.)

200mV

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50876 PCS

Əlaqə məlumatı