ON Semiconductor H11G2TVM OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

H11G2TVM

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hissə nömrəsi

H11G2TVM

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 100°C

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Çıxış növü

Darlington with Base

Kanalların sayı

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-DIP

Cari - Çıxış / Kanal

Gərginlik - İzolyasiya

4170Vrms

Yüksəlmə / Payız vaxtı (tip)

Gərginlik - Çıxış (Maks)

80V

Gərginlik - İrəli (Vf) (Tip)

1.3V

Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks)

60mA

Cari Transfer Oranı (Min)

1000% @ 10mA

Cari Transfer Oranı (Maks)

Yandırma / Söndürmə Vaxtı (Növ)

5µs, 100µs

Vce Doyma (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18423 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

H11G1

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP