ON Semiconductor NTD6416ANLT4G MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

NTD6416ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

Hissə nömrəsi

NTD6416ANLT4G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

DPAK

Gücün Dağılması (Maks.)

71W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

19A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

40nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1000pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54839 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTD60N02R

MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK