ON Semiconductor NTDV3055L104-1G MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NTDV3055L104-1G

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Hissə nömrəsi

NTDV3055L104-1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I-PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

20nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

440pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

±15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47352 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTDV18N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK