ON Semiconductor NTMS4P01R2 MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NTMS4P01R2

MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

NTMS4P01R2

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC

Gücün Dağılması (Maks.)

790mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1850pF @ 9.6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29286 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC