ON Semiconductor NVD5867NLT4G-TB01 MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NVD5867NLT4G-TB01

MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

Hissə nömrəsi

NVD5867NLT4G-TB01

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Automotive, AEC-Q101

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

DPAK-3

Gücün Dağılması (Maks.)

3.3W (Ta), 43W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Ta), 22A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

675pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29436 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK