ON Semiconductor SI3442DV MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SI3442DV

MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Hissə nömrəsi

SI3442DV

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

SuperSOT™-6

Gücün Dağılması (Maks.)

1.6W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

365pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.7V, 4.5V

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12189 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN