Renesas Electronics America RJK2511DPK-00#T0 MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RJK2511DPK-00#T0

MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

Hissə nömrəsi

RJK2511DPK-00#T0

İstehsalçı/Brend

Renesas Electronics America

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-3P-3, SC-65-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3P

Gücün Dağılması (Maks.)

200W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

250V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

65A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

120nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4900pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10093 PCS

Əlaqə məlumatı