Renesas Electronics America RJK6015DPM-00#T1 MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RJK6015DPM-00#T1

MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Hissə nömrəsi

RJK6015DPM-00#T1

İstehsalçı/Brend

Renesas Electronics America

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-3PFM, SC-93-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3PFM

Gücün Dağılması (Maks.)

60W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

21A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

67nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2600pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 51072 PCS

Əlaqə məlumatı