Renesas Electronics America RJK6032DPH-E0#T2 MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RJK6032DPH-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Hissə nömrəsi

RJK6032DPH-E0#T2

İstehsalçı/Brend

Renesas Electronics America

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-251

Gücün Dağılması (Maks.)

40.3W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

9nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

285pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35309 PCS

Əlaqə məlumatı