Renesas Electronics America UPA2825T1S-E2-AT MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

UPA2825T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Hissə nömrəsi

UPA2825T1S-E2-AT

İstehsalçı/Brend

Renesas Electronics America

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

Gücün Dağılması (Maks.)

1.5W (Ta), 16.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

57nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2600pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47697 PCS

Əlaqə məlumatı