Rohm Semiconductor R6011KNX MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

R6011KNX

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Hissə nömrəsi

R6011KNX

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220FM

Gücün Dağılması (Maks.)

53W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Isolated)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

740pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10194 PCS

Əlaqə məlumatı