Rohm Semiconductor R6012ANX MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

R6012ANX

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hissə nömrəsi

R6012ANX

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220FM

Gücün Dağılması (Maks.)

50W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

35nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1300pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19689 PCS

Əlaqə məlumatı