Rohm Semiconductor RCD075N19TL MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RCD075N19TL

MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

Hissə nömrəsi

RCD075N19TL

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

CPT3

Gücün Dağılması (Maks.)

850mW (Ta), 20W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

190V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

336 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1100pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52458 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RCD040N25TL

MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428