Rohm Semiconductor RFUH10NS6STL DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RFUH10NS6STL

DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Hissə nömrəsi

RFUH10NS6STL

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

LPDS

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

10A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

2.8V @ 10A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

25ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

150°C (Max)

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48558 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RFUH10NS4SFHTL

FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND