Rohm Semiconductor RSS120N03FU6TB MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RSS120N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Hissə nömrəsi

RSS120N03FU6TB

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOP

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

25nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1360pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47505 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RSS100N03FRATB

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS