Rohm Semiconductor RT1A060APTR MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RT1A060APTR

MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Hissə nömrəsi

RT1A060APTR

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SMD, Flat Lead

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-TSST

Gücün Dağılması (Maks.)

600mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

80nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

7800pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

-8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22706 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RT1A040ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8