STMicroelectronics STB25NM60N-1 MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STB25NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

Hissə nömrəsi

STB25NM60N-1

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

MDmesh™ II

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I2PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

160W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

84nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2400pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 5334 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STB200N4F3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK