STD1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Hissə nömrəsi
STD1HN60K3
İstehsalçı/Brend
Serial
SuperMESH3™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Cut Tape (CT)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı Cihaz Paketi
DPAK
Gücün Dağılması (Maks.)
27W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
600V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
140pF @ 50V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 15214 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərSTD1HN60K3
STD1HN60K3 Elektron komponentlər
STD1HN60K3 Satış
STD1HN60K3 Təchizatçı
STD1HN60K3 Distribyutor
STD1HN60K3 Məlumat cədvəli
STD1HN60K3 Şəkillər
STD1HN60K3 Qiymət
STD1HN60K3 Təklif
STD1HN60K3 Ən aşağı qiymət
STD1HN60K3 Axtar
STD1HN60K3 Satınalma
STD1HN60K3 Çip