STMicroelectronics STH275N8F7-6AG MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

STH275N8F7-6AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Hissə nömrəsi

STH275N8F7-6AG

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Təchizatçı Cihaz Paketi

H2PAK-6

Gücün Dağılması (Maks.)

315W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

193nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

13600pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 16925 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2