STMicroelectronics STLD200N4F6AG MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STLD200N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Hissə nömrəsi

STLD200N4F6AG

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerSMD, Flat Leads

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerFlat™ (5x6) dual side

Gücün Dağılması (Maks.)

158W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

172nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

10700pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53272 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STLD1

POWER-LINE COMMUNICATION DUAL LI