STMicroelectronics STS19N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STS19N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

Hissə nömrəsi

STS19N3LLH6

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

DeepGATE™, STripFET™ VI

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

Gücün Dağılması (Maks.)

2.7W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

19A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 15V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1690pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15570 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STS10DN3LH5

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC