STMicroelectronics STS9P2UH7 MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

STS9P2UH7

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

STripFET™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

Gücün Dağılması (Maks.)

2.7W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2390pF @ 16V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7484 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STS9D8NH3LL

MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC