STMicroelectronics STW58N65DM2AG MOSFET N-CH 650V 48A

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

STW58N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 48A

Hissə nömrəsi

STW58N65DM2AG

İstehsalçı/Brend

STMicroelectronics

Serial

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247

Gücün Dağılması (Maks.)

360W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

48A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

88nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4100pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49631 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

STW50N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 28A