Taiwan Semiconductor Corporation GBU606HD2G BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GBU606HD2G

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU

Hissə nömrəsi

GBU606HD2G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Automotive, AEC-Q101

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-SIP, GBU

Təchizatçı Cihaz Paketi

GBU

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

800V

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 6A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 800V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34116 PCS

Əlaqə məlumatı