Taiwan Semiconductor Corporation RS1GL R3G DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RS1GL R3G

DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hissə nömrəsi

RS1GL R3G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-219AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

Sub SMA

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

800mA

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.3V @ 800mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 400V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

400V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

150ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24327 PCS

Əlaqə məlumatı