Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLHR3G DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RS1JLHR3G

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hissə nömrəsi

RS1JLHR3G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Automotive, AEC-Q101

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-219AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

Sub SMA

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

800mA

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.3V @ 800mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

250ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34215 PCS

Əlaqə məlumatı