Taiwan Semiconductor Corporation TSM045NB06CR 60V 104A 5MO N-CHANNEL POWER MOS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

TSM045NB06CR

60V 104A 5MO N-CHANNEL POWER MOS

Hissə nömrəsi

TSM045NB06CR

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PDFN (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.1W (Ta), 136W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

16A (Ta), 104A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

104nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6870pF @ 30V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6974 PCS

Əlaqə məlumatı