Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TSM061NA03CV RGG

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Hissə nömrəsi

TSM061NA03CV RGG

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PDFN (3x3)

Gücün Dağılması (Maks.)

44.6W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

19.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1136pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25249 PCS

Əlaqə məlumatı