Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TSM130NB06LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Hissə nömrəsi

TSM130NB06LCR RLG

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerLDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PDFN (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

37nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2175pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13689 PCS

Əlaqə məlumatı