Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCR 40V 41A 15MO N-CHANNEL POWER MOS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TSM150NB04LCR

40V 41A 15MO N-CHANNEL POWER MOS

Hissə nömrəsi

TSM150NB04LCR

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PDFN (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta), 41A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

966pF @ 20V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35681 PCS

Əlaqə məlumatı