Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3G MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TSM1NB60SCT A3G

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

Hissə nömrəsi

TSM1NB60SCT A3G

İstehsalçı/Brend

Taiwan Semiconductor Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Last Time Buy

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-92

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

500mA (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

138pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48150 PCS

Əlaqə məlumatı