Texas Instruments CSD13302WT MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

CSD13302WT

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Hissə nömrəsi

CSD13302WT

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-UFBGA, DSBGA

Təchizatçı Cihaz Paketi

4-DSBGA (1x1)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

17.1 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

862pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27315 PCS

Əlaqə məlumatı