Texas Instruments CSD16570Q5BT MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

CSD16570Q5BT

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Hissə nömrəsi

CSD16570Q5BT

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-VSONP (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.2W (Ta), 195W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

25V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

0.59 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

250nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

14000pF @ 12V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35307 PCS

Əlaqə məlumatı