Texas Instruments CSD18535KTT MOSFET N-CH 60V 200A

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

CSD18535KTT

MOSFET N-CH 60V 200A

Hissə nömrəsi

CSD18535KTT

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

DDPAK/TO-263-3

Gücün Dağılması (Maks.)

300W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

200A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

81nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6620pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53435 PCS

Əlaqə məlumatı