Texas Instruments CSD19506KTT MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

CSD19506KTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Hissə nömrəsi

CSD19506KTT

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

DDPAK/TO-263-3

Gücün Dağılması (Maks.)

375W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

200A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

156nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

12200pF @ 40V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18684 PCS

Əlaqə məlumatı