Texas Instruments CSD19538Q2T MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

CSD19538Q2T

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Hissə nömrəsi

CSD19538Q2T

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-WDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WSON (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

13.1A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

454pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 38176 PCS

Əlaqə məlumatı