Texas Instruments CSD25211W1015 MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

CSD25211W1015

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Hissə nömrəsi

CSD25211W1015

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UFBGA, DSBGA

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-DSBGA (1x1.5)

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

570pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

-6V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43164 PCS

Əlaqə məlumatı