Texas Instruments CSD25304W1015T MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

CSD25304W1015T

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Hissə nömrəsi

CSD25304W1015T

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UFBGA, DSBGA

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-DSBGA

Gücün Dağılması (Maks.)

750mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

595pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25558 PCS

Əlaqə məlumatı