Texas Instruments CSD85312Q3E MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Hissə nömrəsi

CSD85312Q3E

İstehsalçı/Brend

Texas Instruments

Serial

NexFET™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Güc - Maks

2.5W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-VSON (3.3x3.3)

FET növü

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate, 5V Drive

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

39A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 10A, 8V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2390pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8989 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

CSD83325L

MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR