Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ) MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

2SJ668(TE16L1,NQ)

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Hissə nömrəsi

2SJ668(TE16L1,NQ)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSIII

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

PW-MOLD

Gücün Dağılması (Maks.)

20W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

700pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43250 PCS

Əlaqə məlumatı