Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(Q) MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

2SK3309(Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Hissə nömrəsi

2SK3309(Q)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3, Short Tab

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220FL

Gücün Dağılması (Maks.)

65W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

450V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

920pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48317 PCS

Əlaqə məlumatı