Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3565(Q,M) MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

2SK3565(Q,M)

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Hissə nömrəsi

2SK3565(Q,M)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

π-MOSIV

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220SIS

Gücün Dağılması (Maks.)

45W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

900V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

28nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1150pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 28669 PCS

Əlaqə məlumatı