Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV,L3F MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM3J15FV,L3F

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Hissə nömrəsi

SSM3J15FV,L3F

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

π-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-723

Təchizatçı Cihaz Paketi

VESM

Gücün Dağılması (Maks.)

150mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

9.1pF @ 3V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7891 PCS

Əlaqə məlumatı