Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T(TE85L,F) MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM3J306T(TE85L,F)

MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

Hissə nömrəsi

SSM3J306T(TE85L,F)

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TSM

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2.5nC @ 15V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

280pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6191 PCS

Əlaqə məlumatı