Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R,LF SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM3J358R,LF

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

Hissə nömrəsi

SSM3J358R,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVII

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-3 Flat Leads

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23F

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

22.1 mOhm @ 6A, 8V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

38.5nC @ 8V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1331pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 8V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48766 PCS

Əlaqə məlumatı